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概述?CHA254S92是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254S92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254S92使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254S92使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA254S55是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254S55內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254S55使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254S55使用縮小型貼片SOT-553封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA254N92是一顆微功耗、高靈敏度N極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254N92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254N92使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254N92使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。

概述?CHA254N是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254N內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254N使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254N使用縮小型貼片SOT-23封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA214NS是一顆微功耗、高頻高靈敏度全極性、并具有閂鎖輸出的霍爾開關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品，如行動電話、無刷電機、筆記型電腦、PDA等。CHA214NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA214NS使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA214NS使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-40~150℃。

CHA205NS是一顆高頻率、高靈敏度全極性、并具有閂鎖輸出的霍爾開關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品，如行動電話、無刷電機、筆記型電腦、PDA等。CHA205NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA205NS使用先進的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA205NS為SOT-23封裝，工作溫度范圍為-40~150℃。